IRG4BC10SD |
RFQ for IRG4BC10SD |
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| Technical/Catalog Information | IRG4BC10SD |
| Vendor | International Rectifier |
| Category | Discrete Semiconductor Products |
| Input Type | Standard |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 14A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 8A |
| Power - Max | 38W |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 (Straight Leads) |
| Packaging | Tube |
| Lead Free Status | Contains Lead |
| RoHS Status | RoHS Non-Compliant |
| Other Names | IRG4BC10SD IRG4BC10SD |
| Product | Manufacturers | Pack | D/C |
| IRG4BC10SD | - | TO-220 | 05+ |
Features |
| • Extremely low voltage drop 1.1Vtyp. @ 2A • S-Series: Minimizes power dissipation at up to 3 KHz PWM frequency in inverter drives, up to 4 KHz in brushless DC drives.• Very Tight Vce(on) distribution• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations• Industry standard TO-220AB package |
|
Parameter |
Max. |
Units | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VCES | Collector-to-Emitter Breakdown Voltage |
600 |
V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IC @ TC = 25°C | Continuous Collector Current |
14 |
A
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IC @ TC = 100°C | Continuous Collector Current |
8.0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ICM | Pulsed Collector Current |
18 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ILM | Clamped Inductive Load Current |
18 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IF @ TC = 100°C | Diode Continuous Forward Current |
4.0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IFM | Diode Maximum Forward Current |
18 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VGE | Gate-to-Emitter Voltage |
± 20 |
V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PD @ TC = 25°C | Maximum Power Dissipation |
38 |
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| PD @ TC = 100°C | Maximum Power Dissipation |
15 |
W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 150 |
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